Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 100 A 110 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-5887P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5301TRPBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
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| 250 - 495 | 1,33 € |
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- IRFH5301TRPBF
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.85mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5mm | |
| Höhe | 900μm | |
| Länge | 6mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.85mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5mm | ||
Höhe 900μm | ||
Länge 6mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.
Leistungsgehäuse nach Industriestandard für Oberflächenmontage
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
Weicherer Diodenkörper im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration
Breites Portfolio verfügbar