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Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 79 A 110 W TO-220

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 79 A 110 W TO-220
Brand: Infineon
SKU: 257-9268P
Availability: InStock

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	79A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	8.4mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd	110W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	46nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 79A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.4mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd 110W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

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