Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 100 A 170 W, 4-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
257-9269
Herst. Teile-Nr.:
IRF1104PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.009Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

93nC

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO 220-Gehäuse.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

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