Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 95 A TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

33,45 €

(ohne MwSt.)

39,80 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 2.650 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 500,669 €33,45 €
100 - 2000,568 €28,40 €
250 - 4500,528 €26,40 €
500 - 12000,495 €24,75 €
1250 +0,455 €22,75 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-9285
Herst. Teile-Nr.:
IRF40B207
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

95A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem bleifreien TO 220AB-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern. Zu den Endanwendungen gehören schnurlose Stromversorgungs- und Gartenwerkzeuge, leichte Elektrofahrzeuge und E-Bikes, die ein hohes Maß an Robustheit und Energieeffizienz erfordern.

Hoher Nennstrom

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Durchgangsbohrungs-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Verwandte Links