Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 6.5 A 2 W SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 257-9301P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7313TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- IRF7313TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 46mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 780mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 46mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 780mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist das 30-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse.
RoHS-konform
Niedriger RDS(on)
Dynamische dv/dt-Nennleistung
Schnelles Schalten
Zweifach-N-Kanal-MOSFET