Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 10 A SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 257-9312P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7470TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- 257-9312P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7470TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montage-Typ | THT | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Montage-Typ THT | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist das 40-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Kann wellenförmig gelötet werden
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Kann wellenförmig gelötet werden