Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET -30 V / -9.2 A 2 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
257-9330
Herst. Teile-Nr.:
IRF9358TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-9.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23.8mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das -30-V-Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Optimiert für 4,5-V-Gate-Antriebsspannung (sog. Logikpegel)

Kann mit einer Gate-Antriebsspannung von 2,5 V betrieben werden (sog. Super-Logikpegel)

Geringere Konstruktionskomplexität bei Konfiguration mit hoher Seite

Einfachere Schnittstelle zum Mikrocontroller

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