Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 257-9360P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB7440PBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | 1,896 € |
| 125 - 245 | 1,766 € |
| 250 - 495 | 1,654 € |
| 500 + | 1,526 € |
*Richtpreis
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- IRFB7440PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 120 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB7440PBF
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Schaltgerät mit Durchgangsbohrung, das für Hochstromanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und entspricht den RoHS-Umgebungsbeschränkungen. Das Gehäuse erleichtert die Montage auf Kühlkörperflächen für das Verlustleistungsmanagement und die diskrete Montage in herkömmlichen Schaltkreisen.
Merkmale und Vorteile:
• Niedrige Rds(on) von 2,50 mΩ für geringere Leitungsverluste
• 40 V Drain-Source-Grenzwert ermöglicht Mittelspannungssysteme
• 120 A Dauerstromverarbeitung für dauerhafte Lasten
• Enhancement‐Channel-Betrieb für unkomplizierte Gate-Ansteuerung
• 1,3 V Durchlassspannung unterstützt eine effiziente Body-Diode-Leitung
• 40 V Drain-Source-Grenzwert ermöglicht Mittelspannungssysteme
• 120 A Dauerstromverarbeitung für dauerhafte Lasten
• Enhancement‐Channel-Betrieb für unkomplizierte Gate-Ansteuerung
• 1,3 V Durchlassspannung unterstützt eine effiziente Body-Diode-Leitung
Anwendungsbereich
• Geeignet für den Einsatz von Hochstrom-MOSFETs in Stromversorgungen
• Ideal für MOSFETs in Motortreibern (40 V, 120 A)
• Verwendung mit TO‐220-Durchgangsloch-N-Kanal-MOSFET-40-V-Layouts
• Kann als HEXFET-MOSFET-Ersatz mit 2,5 mΩ niedrigem Rds(on) verwendet werden
• Einsatz in Schaltkreisen, die einen Hochtemperatur-MOSFET-Betrieb (-55 °C bis 175 °C) erfordern
• Ideal für MOSFETs in Motortreibern (40 V, 120 A)
• Verwendung mit TO‐220-Durchgangsloch-N-Kanal-MOSFET-40-V-Layouts
• Kann als HEXFET-MOSFET-Ersatz mit 2,5 mΩ niedrigem Rds(on) verwendet werden
• Einsatz in Schaltkreisen, die einen Hochtemperatur-MOSFET-Betrieb (-55 °C bis 175 °C) erfordern
In welchem Temperaturbereich kann das Produkt zuverlässig betrieben werden?
Er arbeitet bei Temperaturen von -55 °C bis 175 °C und deckt sowohl den Betrieb bei niedrigen Temperaturen als auch den Betrieb bei hohen Temperaturen ab.
Welche Befestigungsmethode ist für das Wärmemanagement erforderlich?
Er wird in einem TO‐220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für die Befestigung an externen Kühlkörpern oder dem Chassis vorgesehen ist.
Welche Art von Kanal und Schaltmodus wird verwendet?
Das Gerät ist ein N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der einen Gate-Source-Antrieb zur Leitung benötigt.
Ist er für Kfz-qualifizierte Installationen geeignet?
Es wird nicht angegeben, dass es den Automobilstandards entspricht, und es sollte anhand von Fahrzeugspezifischen Anforderungen bewertet werden.
Erfüllt es die Anforderungen der Umweltrichtlinie?
Es ist RoHS-konform, was auf die Beschränkung bestimmter gefährlicher Stoffe hinweist.