Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 24 A 144 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 257-9436P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4620TRLPBF
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 77.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 144W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 77.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 144W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 200 V maximale Drain-Source-Spannung, 24 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFS4620TRLPBF
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungstransistor im Enhancement-Modus, der für Hochspannungsschalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben entwickelt wurde. Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für platinenmontierte Stromversorgungen geeignet ist, und arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen. Das Gerät verfügt über eine Eigenkörperdiode mit einer spezifizierten Durchlassspannung und ist RoHS-konform.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 200 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 24 A Dauerstrom unterstützt eine erhebliche Lastübernahme
• 77.5 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 144 W ermöglicht eine erhöhte thermische Belastung
• Typische Gate-Ladung von 25 nC sorgt für vorhersehbare Antriebsanforderungen
• 24 A Dauerstrom unterstützt eine erhebliche Lastübernahme
• 77.5 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 144 W ermöglicht eine erhöhte thermische Belastung
• Typische Gate-Ladung von 25 nC sorgt für vorhersehbare Antriebsanforderungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandlerstufen
• Ideal für Schaltnetzteil-Ausgangsschalter
• Einsatz mit Motorantriebssteuerungen in Stromversorgungsbaugruppen
• Kann für Lastschaltvorgänge in der Industrieelektronik verwendet werden
• Geeignet für das Energiemanagement in nicht-automatischen Systemen
• Ideal für Schaltnetzteil-Ausgangsschalter
• Einsatz mit Motorantriebssteuerungen in Stromversorgungsbaugruppen
• Kann für Lastschaltvorgänge in der Industrieelektronik verwendet werden
• Geeignet für das Energiemanagement in nicht-automatischen Systemen
Welche Gate-Drive-Bedenken sollte ich berücksichtigen?
Erwarten Sie eine typische Gesamt-Gate-Ladung von 25 nC bei VGS
wählen Sie einen Treiber, der genügend Strom liefern und ableiten kann, um die gewünschte Schaltgeschwindigkeit zu erreichen.
Wie wirkt sich die thermische Leistungsfähigkeit auf das Leiterplatten-Design aus?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 144 W sorgen Sie für eine ausreichende Kupferfläche oder Kühlkörper und Wärmeleitungen, um die Wärmeübertragung von der Sperrschicht zur Umgebung zu bewältigen.
Was sind die Grenzwerte für Steuer- und Signalspannungen?
Das Gate kann bis zu 20 V in Bezug auf die Quelle betrieben werden
Gate-Source-Ausbrüche dürfen diesen Wert nicht überschreiten.
Welchen Temperaturbereich verträgt er im Betrieb?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C für Anwendungen mit breitem Temperaturbereich ausgelegt.
Welche Diodencharakteristik ist für die umgekehrte Leitfähigkeit wichtig?
Die intrinsische Diode verfügt über eine Durchlassspannung von 1,3 V, die die Leitungsverluste bei Rückstromereignissen beeinflusst.