Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 7.60 A 4.9 W PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-9447P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLHS6376TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 63mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4.9W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 63mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4.9W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der HEXFET-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 7,60 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRLHS6376TRPBF
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und erfüllt die RoHS-Anforderungen, wodurch er sich dort eignet, wo regulierte Materialstandards erforderlich sind. Das Gerät wird in einem PQFN-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage vorgesehen ist.
Merkmale und Vorteile:
• 63 mΩ RDS(on) minimiert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz
• 30-V-VDS ermöglicht Niederspannungs-Leistungsschaltanwendungen
• 7.60 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Lastübertragung
• Die typische Gate-Ladung von 2,8 nC ermöglicht eine hohe Schaltleistung
• Die Verlustleistung von 4,9 W verwaltet die thermische Last innerhalb der Grenzen
• 30-V-VDS ermöglicht Niederspannungs-Leistungsschaltanwendungen
• 7.60 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Lastübertragung
• Die typische Gate-Ladung von 2,8 nC ermöglicht eine hohe Schaltleistung
• Die Verlustleistung von 4,9 W verwaltet die thermische Last innerhalb der Grenzen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Niederspannungs-Motorantriebs-Schaltkreise
• Ideal für sekundäre Schaltstufen der Stromversorgung
• Wird für Batteriemanagement- und DC/DC-Umwandlungsaufgaben verwendet
• Kann für Telekommunikations- und industrielle Steuerungsschaltvorgänge verwendet werden
• Geeignet für wärmemanagierte Verbraucher-Stromversorgungsmodule
• Ideal für sekundäre Schaltstufen der Stromversorgung
• Wird für Batteriemanagement- und DC/DC-Umwandlungsaufgaben verwendet
• Kann für Telekommunikations- und industrielle Steuerungsschaltvorgänge verwendet werden
• Geeignet für wärmemanagierte Verbraucher-Stromversorgungsmodule
Welche Gate-Spannung kann ohne Beschädigung angewendet werden?
Die maximale Gate-to-Source-Nennspannung beträgt 12 V.
Wie wirkt sich die thermische Toleranz auf den Einsatz aus?
Das Gerät arbeitet von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.
Was ist die typische Schaltcharakteristik für die Gate-Drive-Konstruktion?
Die typische Gesamt-Gate-Ladung beträgt 2,8 nC bei Nenn-Gate-Drive-Bedingungen.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode sind für die Leiterplatten-Integration vorgesehen?
Er wird in einem PQFN-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage konfiguriert ist.
Ist dieses Gerät für den Einsatz im Automobilbereich vorgesehen?
Es ist nicht als konform mit Automobilstandards ausgewiesen.