Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 171 A TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-0631P
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFP4568-E
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 171A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 171A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon in Kfz-Qualität wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt und nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Betriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Wiederholungs-Avalanche-Nennleistung. Diese Merkmale machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Erweiterte Planar-Technologie
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Dynamische dv/dt-Nennleistung
Betriebstemperatur: 175 °C
Schnelles Schalten
Wiederholbare Avalanche Zulässig bis Tjmax