Infineon BSC Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P -30 V / -78.60 A, 8-Pin TDSON

Dieser P-Kanal-MOSFET ist für das Hochstrom-Leistungsmanagement in kompakten Oberflächenmontage-Baugruppen konzipiert. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist, und wird in einem flachen TDSON-Gehäuse für die Integration auf Board-Ebene geliefert. Das Gerät ist RoHS-konform und für die Oberflächenmontage mit acht Stiften konfiguriert, was ein Gleichgewicht zwischen thermischer Toleranz und elektrischer Leistung für vielfältige elektronische Systeme bietet.

• Die maximale Ablass-Quellenspannung von -30 V ermöglicht 30-V-Netzschienen
• Niedrige Rds(on) von 8,40 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Der kontinuierliche Ablassstrom von 78,6 A unterstützt hohe Stromlasten
• Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C unterstützt raue Umgebungen
• TDSON-Oberflächenmontage-Paket vereinfacht kompakte Leiterplatten-Layouts

• Wird zum Schalten von Hochstromlasten in Netzteilen verwendet
• Geeignet für den Schutz vor Verpolung in Batteriesystemen
• Ideal für Schaltfunktionen in der Gleichstromverteilung
• Kann zur Lasttrennung in eingebetteten Steuerungen verwendet werden
• Einsatz mit Wärmemanagementlösungen auf kompakten Leiterplatten

Er wird in einer 8-poligen TDSON-Grundfläche für die Oberflächenmontage geliefert.

Er hält den spezifizierten Betrieb von -55 °C bis 150 °C für breite thermische Bedingungen aufrecht.

Es entspricht nicht den Normen für die Automobilindustrie und sollte nicht angegeben werden, wo eine Qualifizierung für die Automobilindustrie erforderlich ist.

Er erfüllt die RoHS-Anforderungen für den Gehalt an eingeschränkten Stoffen.