Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 25 V / 186 A, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0708
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ013NE2LS5IATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-0708
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ013NE2LS5IATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 186A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 186A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die 25-V- und 30-V-Produktfamilie OptiMOS 5 von Infineon bietet Benchmark-Lösungen, indem sie höchste Leistungsdichte und Energieeffizienz ermöglicht, sowohl im Standby- als auch im vollen Betrieb.
Bester Widerstand im eingeschalteten Zustand
Benchmark-Schaltleistung
Höchster Wirkungsgrad
Höchste Leistungsdichte mit S3O8 oder Netzteilgehäuse