Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 104 A 69 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0712
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ037N06LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ037N06LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 104A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | BSZ | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.3mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 104A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie BSZ | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.3mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 60-V-Leistungs-MOSFET OptiMOS 5 von Infineon ist perfekt geeignet für Lösungen mit optimierter Effizienz und Leistungsdichte wie z. B. synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen, für Telekommunikations-Brick- und Serveranwendungen sowie tragbare Ladegeräte. Die kleine Abmessung von nur 3,3 x 3,3 mm2 in Kombination mit ausgezeichneter elektrischer Leistung trägt zusätzlich zu einer erstklassigen Leistungsdichte und Formfaktorverbesserung in der Endanwendung bei.
Monolithisch integrierte Schottky-Diode
Extrem niedrige Ladungen
Ideal für Hochleistungsanwendungen
RoHS-konform – halogenfrei
Weniger Parallelführung erforderlich
Sehr niedriger Spannungsüberschreitung
Geringerer Bedarf an Schnubberstromkreisen
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