Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 150 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
258-0915
Herst. Teile-Nr.:
IAUC120N04S6N010ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IAUC

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

81nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon OptiMOS 6 40V Power MOS Technologie im 5x6mm2 SS08 bleifreien Paket mit höchster Qualität und Robustheit für Automobilanwendungen. Ein Portfolio von 16 Produkten, das es dem Kunden ermöglicht, das am besten geeignete Produkt für seine Anwendungen zu finden. All dies ermöglicht die beste Produkt-FOM und Leistung auf dem Markt. Das neue Produkt SS08 bietet 120 A Dauerstrom, d. h. >25 % höher als der Standard-DPAK bei fast der Hälfte seiner Abmessungsfläche.

N-Kanal – Verstärkungsmodus – normal LevelAEC Q101-qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

Grünes Produkt (RoHS-konform)

100 % Lawinengeprüft

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