Infineon IAUC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 41 A, 8-Pin TDSON

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für die Oberflächenmontage der Leistungssteuerung in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für Automobilanwendungen geeignet ist, und unterstützt Hochstromschaltungen mit geringem Leitungsverlust. Die Komponente ist in einem kompakten TDSON-Format verpackt und erfüllt branchenübliche Umweltbedingungen.

• 10 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Hochstrombetrieb
• Die Durchlassspannung von 1,1 V senkt die Verlustleistung beim Schalten
• Die Nennleistung von 60 V Drain-Source ermöglicht einen robusten Spannungsbereich
• Die Dauerstromfähigkeit von 41 A unterstützt hohe Belastungsanforderungen
• Der Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C sorgt für gleichbleibende Leistung in extremen Umgebungen

• Wird für die Stromverteilung und Motorsteuerung in Kraftfahrzeugen verwendet
• Geeignet für synchrone Schaltstufen von DC/DC-Wandlern
• Ideal für das Schalten von Hochstromlasten in Fahrzeugsystemen
• Kann für das Energiemanagement auf kompakten oberflächenmontierten Leiterplatten verwendet werden
• Wird mit Batteriemanagementmodulen in Transportgeräten verwendet

Es handelt sich um eine oberflächenmontierbare Komponente, die in einem TDSON-Gehäuse geliefert wird, das für die automatisierte Leiterplattenmontage geeignet ist.

Ja, er entspricht den Qualifizierungsstandards der Automobilindustrie und ist für den angegebenen Temperaturbereich für Fahrzeugumgebungen ausgelegt.

Das Gerät verwendet eine N-Kanal-Enhancement-Mode-Anordnung, die eine gate-gesteuerte Leitungsregelung für Schaltanwendungen ermöglicht.

Er erfüllt die RoHS-Anforderungen, die bestimmte gefährliche Stoffe in elektronischen Baugruppen einschränken.