Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 72 A TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 258-3767
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA040N06NM5SXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 72A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | IPA | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.8mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 72A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie IPA | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.8mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 5 MOSFET 60 V im TO-220 FullPAK-Gehäuse erfüllt die Anforderungen an eine verbesserte Systemeffizienz und senkt die Systemkosten. Der OptiMOS-Leistungs-MOSFET verfügt über einen niedrigen RDS(on) von 4,0 mOhm, um den Wirkungsgrad zu verbessern. Darüber hinaus ist die TO-220 FullPAK-Portfolio-Erweiterung mit ihrer erhöhten Leistungsdichte die ausgezeichnete Lösung für synchrone Gleichrichtung. Es ist für TV-Netzteil, Desktop, Adapter und Gaming-Anwendungen optimiert.
Niedrige Spannungsüberschreitung
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Weniger Parallelführung erforderlich
Die erzeugte Wärme wird nicht auf die Leiterplatte umgeleitet
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