Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 44 A TO-220

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

55,10 €

(ohne MwSt.)

65,55 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 250 Einheit(en) mit Versand ab 20. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 501,102 €55,10 €
100 - 2000,881 €44,05 €
250 - 4500,837 €41,85 €
500 - 9500,793 €39,65 €
1000 +0,76 €38,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
258-3770
Herst. Teile-Nr.:
IPA083N10N5XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IPA

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die industriellen OptiMOS 5-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon in 80 V und 100 V wurden für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Server-Netzteilanwendungen entwickelt, sind aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantriebe und Laptop-Adapter.

Ideal für hohe Schaltfrequenz

Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %

Geringere Schalt- und Leitungsverluste

Weniger Parallelführung erforderlich

Verwandte Links

Recently viewed