Infineon IPAN60R125PFD7SXKSA1, SMD MOSFET 650 V / 66 A PG-TO 220

Der Infineon 600 V CoolMOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das CoolMOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Der MOSFET in einem schmalen TO-220 FullPAK-Gehäuse verfügt über einen RDS(on) von 125 mOhm, was zu niedrigen Schaltverlusten führt. Die Produkte werden mit einer schnellen Gehäuse-Diode geliefert, die ein robustes Gerät gewährleistet und wiederum den Materialaufwand für den Kunden verringert. Diese Produktfamilie ist auf extrem hohe Leistungsdichte sowie Designs mit höchster Effizienz zugeschnitten. Die Produkte richten sich hauptsächlich an Ladegeräte mit extrem hoher Dichte, Adapter und Motorantriebe mit geringer Leistungsaufnahme. Der 600-V-CoolMOS PFD7 bietet einen verbesserten Wirkungsgrad bei leichter und voller Last über CoolMOS P7- und CE-MOSFET-Technologien, was zu einer Erhöhung der Leistungsdichte um 1,8 W/Zoll3 führt.

Großer Bereich von RDS(on)-Werten
Ausgezeichnete Schaltfestigkeit
Niedrige elektromagnetische Störungen
Breites Paketportfolio
BOM-Kostenreduzierung und einfache Fertigung
Robustheit und Zuverlässigkeit
Einfache Auswahl der richtigen Teile für die Feinabstimmung des Designs