Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A TO-263

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3798P
Herst. Teile-Nr.:
IPB120P04P404ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungstransistor OptiMOS-P2 von Infineon bietet die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungseinbußen für höchsten thermischen Wirkungsgrad. Robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Keine Ladungspumpe erforderlich für High-Side-Antrieb

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