Teile-Nr.

Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A TO-263

Name: Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A TO-263
Brand: Infineon
SKU: 258-3820
Availability: InStock

Mengenrabatt verfügbar

Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

5,27 €

(ohne MwSt.)

6,27 €

(inkl. MwSt.)

Nur noch Restbestände

*Richtpreis

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	80A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	iPB
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	40.7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie iPB
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 40.7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Der Leistungstransistor OptiMOS-P2 von Infineon ist ein P-Kanal-Logikpegelverstärkungsmodus. Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C.

AEC-qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.