Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A IPB80R290C3AATMA2 TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-3825
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB80R290C3AATMA2
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
5,76 €
(ohne MwSt.)
6,85 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 877 Einheit(en) mit Versand ab 06. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,76 € |
| 10 - 24 | 5,48 € |
| 25 - 49 | 5,24 € |
| 50 - 99 | 5,01 € |
| 100 + | 4,66 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3825
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB80R290C3AATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Infineon CoolMOS C3A-Technologie wurde entwickelt, um die wachsenden Anforderungen an höhere Systemspannungen im Bereich von Elektrofahrzeugen wie PHEV und BEV zu erfüllen.
Best-in-Class-Qualität und Zuverlässigkeit
Höhere Durchschlagsspannung
Hohe Spitzenstromleistung
Verwandte Links
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 180 A TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A IPB120P04P404ATMA2 TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A IPB80P04P405ATMA2 TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A IPB80P04P4L06ATMA2 TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A IPB80P04P4L08ATMA2 TO-263