Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 211 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-3827
- Herst. Teile-Nr.:
- IPBE65R050CFD7AATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPBE65R050CFD7AATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 211A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 211A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon CoolMOS C3A-Technologie wurde entwickelt, um die wachsenden Anforderungen an höhere Systemspannungen im Bereich von Elektrofahrzeugen wie PHEV und BEV zu erfüllen.
Best-in-Class-Qualität und Zuverlässigkeit
Höhere Durchschlagsspannung
Hohe Spitzenstromleistung
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