Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N -30 V / 70 A TO-252

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RS Best.-Nr.:
258-3831P
Herst. Teile-Nr.:
IPD068P03L3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Feldwirkungstransistor mit P-Kanal-Verbesserungsmodus von Infineon ist eine äußerst innovative OptiMOS-Familie mit P-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Verdienstmerkmale.

Verstärkungsmodus

Logikpegel

Avalanche-geschützt

Schnelles Schalten

Dv/dt-Nennleistung

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