Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 224 A TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
IRF150P220AKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

224A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.70mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

+175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

MOSFET der HEXFET-Serie von Infineon, 150 V Drain-Source-Spannung, 224 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRF150P220AKMA1


Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Transistor mit hoher Leistungsverstärkung, der für anspruchsvolle Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist für die Oberflächenmontage konzipiert, um die Wärmeableitung und die robuste Handhabung in Stromversorgungsbaugruppen zu unterstützen. Die RoHS-Konformität zeigt die Eignung für Umgebungen an, die die Einhaltung eingeschränkter Stoffe erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• Hohe Dauerstromfähigkeit unterstützt schwere Schaltvorgänge
• Die Nennspannung von 150 V ermöglicht Hochspannungsstufen
• Große Temperaturtoleranz ermöglicht den Betrieb unter extremen Bedingungen
• Niedrige Durchlassspannung reduziert die Verlustleistung bei der Leitung von Dioden

Anwendungsbereich


• Geeignet für Motorantriebs-Wechselrichterstufen in Industrieanlagen
• Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandler und Netzteile
• Einsatz mit Brückentopologien in elektrischen Traktionssystemen
• Kann für Hochleistungs-Schaltvorgänge in erneuerbaren Wechselrichtern verwendet werden
• Geeignet für robuste Leistungsmodule, die eine Oberflächenmontage erfordern

Wie sieht das Gehäuse und die Montageausrichtung des Geräts aus?


Er wird in einem TO-247-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konfiguriert ist.

Wie wirkt sich der thermische Bereich auf den Einsatz in rauen Umgebungen aus?


Der Bemessungsbetriebsbereich von -55 °C bis +175 °C ermöglicht den Einsatz dort, wo sowohl ein Anlauf bei niedrigen Temperaturen als auch eine hohe Temperaturbeständigkeit erforderlich sind.

Welche Kanalkonfiguration und welchen Gate-Modus verwenden sie?


Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät, das im Enhancement-Modus arbeitet und für gängige Low-Side- und High-Side-Schalter-Designs geeignet ist.

Welche elektrischen Eigenschaften reduzieren Schaltverluste während des Betriebs?


Ein maximaler Drain-Source-Widerstand von 2,70 mΩ und eine Durchlassdiodenspannung von 1,2 V reduzieren zusammen Leitungs- und Erholungsverluste unter starken Strömen.

Entspricht das Gerät den Anforderungen an eingeschränkte Stoffe?


Ja, es erfüllt die RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Materialien.

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