Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 200 V / 9.1 A, 5-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 258-3976P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI4020H-117PXKMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
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| 200 + | 2,36 € |
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- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI4020H-117PXKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Zweifach-N-Kanal-MOSFET
Hohe Leistungsdichte
Integriertes Design
Einsparungen auf der Platine