Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 17 A 140 W TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IRFR15N20DTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

165mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFETs von Infineon nutzen bewährte Siliziumprozesse und bieten Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie z. B. Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Abmessungen nach Industriestandard für einfache Konstruktion erhältlich.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Erhöhte Robustheit

Kompatibilität mit mehreren Lieferanten

Qualifikationsstufe nach Industriestandard

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