Infineon CoolMOS^TM, Oberfläche MOSFET 800 V / 11 A 34 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 258-4030
- Herst. Teile-Nr.:
- SPA11N80C3XKSA2
- Marke:
- Infineon
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- 258-4030
- Herst. Teile-Nr.:
- SPA11N80C3XKSA2
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | CoolMOS^TM | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.45Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 64nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC1, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie CoolMOS^TM | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.45Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC1, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS-Leistungstransistor ist die dritte Serie von CoolMOS, die 2001 auf den Markt kam. C3 ist das Arbeitspferd des Portfolios.
Hoher Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte
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