Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 30 A TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-7783P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD30N03S2L20ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-7783P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD30N03S2L20ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der OptiMOS-Leistungstransistor von Infineon bietet niedrige Schalt- und Leitungsverluste für einen hohen thermischen Wirkungsgrad. Er verfügt über eine optimierte Gate-Gesamtladung, die eine kleinere Treiber-Ausgangsstufe ermöglicht. Er verfügt außerdem über robuste Gehäuse von überlegener Qualität und Zuverlässigkeit.
Kfz-Zulassung AEC Q101
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow
Betriebstemperatur: 175 °C
Grünes Gehäuse
100 % Avalanche-getestet