Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 102 A, 8-Pin TSDSON

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

6,05 €

(ohne MwSt.)

7,20 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 4.970 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 451,21 €6,05 €
50 - 1200,966 €4,83 €
125 - 2450,906 €4,53 €
250 - 4950,844 €4,22 €
500 +0,442 €2,21 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
259-1484
Herst. Teile-Nr.:
BSZ0902NSIATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

102A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

BSZ

Gehäusegröße

TSDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8Ω

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon verfügt über eine extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen, wodurch der OptiMOS 25 V die beste Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Daten- und Telekommunikationsanwendungen ist. Es ist auf die Anforderungen der Stromverwaltung in Notebooks zugeschnitten, indem es das EMI-Verhalten verbessert und die Batterielebensdauer verlängert.

Extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung

Niedrigster Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen

Einfach zu entwerfen

Erhöhte Batterielebensdauer

Verbesserte elektromagnetische Störungen machen externe Schnubber-Netzwerke obsolet

Kostenersparnis

Platzsparend

Verringerung der Leistungsverluste

Verwandte Links