Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 50 A TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 259-1553
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50N04S4L08ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50N04S4L08ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Verbesserungsmodus von Infineon ist AEC Q101-qualifiziert für die Automobilindustrie. OptiMOS-T 40 V richtet sich an kleine Laststeuerungs-Schaltungen von 3-Phasen- und H-Brückenmotoren, elektrischen Pumpen usw., insbesondere in Kombination mit PWM-Steuerung.
Kfz-Zulassung AEC Q101
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow
Betriebstemperatur: 175 °C
Grünes Gehäuse (RoHS-konform)
100 % Lawinengeprüft
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