Infineon CoolMOSTM 800V Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 8 A 104 W, 3-Pin PG-TO220-3
- RS Best.-Nr.:
- 259-1577P
- Herst. Teile-Nr.:
- SPP08N80C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | CoolMOSTM 800V | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC1, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie CoolMOSTM 800V | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC1, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der coolmostm-Leistungstransistor von Infineon ist eine Schaltanwendung. Dies ist eine industrielle Anwendung mit hoher DC-Massenspannung. Es ist gemäß JEDEC1 für Zielanwendungen qualifiziert.
Extreme dv/dt-Nennleistung
Hohe Spitzenstromleistung
Extrem niedrige Gate-Ladung
Extrem niedrige effektive Kapazitäten