Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 197 A 250 W, 3-Pin TO-220

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

5,33 €

(ohne MwSt.)

6,342 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 744 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 182,665 €5,33 €
20 - 482,40 €4,80 €
50 - 982,24 €4,48 €
100 - 1982,075 €4,15 €
200 +1,92 €3,84 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-1056
Herst. Teile-Nr.:
IPP013N04NF2SAKMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

197A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPP

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.85V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

159nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET bietet eine breite Palette von Anwendungen von niedriger bis hoher Schaltfrequenz mit einer breiten Verfügbarkeit von Vertriebspartnern bis hin zu einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis.

Hoher Nennstrom

Durchgangsbohrungsgehäuse nach Industriestandard

Verwandte Links