Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 121 A 150 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Stange mit 1000 Stück)*

540,00 €

(ohne MwSt.)

640,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 17. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
1000 +0,54 €540,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
260-1059
Herst. Teile-Nr.:
IPP026N04NF2SAKMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

121A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IPP

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

68nC

Durchlassspannung Vf

0.88V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.75mm

Länge

15.8mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET bietet eine breite Palette von Anwendungen von niedriger bis hoher Schaltfrequenz mit einer breiten Verfügbarkeit von Vertriebspartnern bis hin zu einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis.

Hoher Nennstrom

Durchgangsbohrungsgehäuse nach Industriestandard

Verwandte Links