Infineon IQE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 205 A, 8-Pin WHSON

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-1079
Herst. Teile-Nr.:
IQE013N04LM6SCATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

205A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IQE

Gehäusegröße

WHSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon-MOSFETs ermöglichen die Verbindung des Quellpotenzials mit der Leiterplatte über das thermische Pad, was mehrere Vorteile bietet, wie z. B. erhöhte thermische Kapazität, verbesserte Leistungsdichte oder verbesserte Layoutmöglichkeiten. Es verfügt außerdem über die reduzierten Anforderungen an die aktive Kühlung und das effektive Layout für die thermische Steuerung, was auf Systemebene von Vorteilen ist.

Verbesserte Leiterplattenverluste

Ermöglicht höchste Leistungsdichte und Leistung

Überlegene thermische Leistung

Optimierte Layoutmöglichkeiten

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