Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 119 A 150 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 260-1212P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP030N06NF2SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 50 Stück (geliefert in Stange)*
79,40 €
(ohne MwSt.)
94,50 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 805 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | 1,588 € |
| 125 - 245 | 1,50 € |
| 250 - 495 | 1,394 € |
| 500 + | 1,288 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-1212P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP030N06NF2SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 119A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | IPP | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.05mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 0.92V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.75mm | |
| Breite | 15.8 mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 119A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie IPP | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.05mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 0.92V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.75mm | ||
Breite 15.8 mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist gemäß JEDEC-Standard qualifiziert und für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert.
Bleifreie Kabelbeschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei