Infineon BSP Typ N-Kanal MOSFET Entleerung 600 V / 0.12 A, 4-Pin PG-SOT223

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RS Best.-Nr.:
260-5075
Distrelec-Artikelnummer:
304-41-649
Herst. Teile-Nr.:
BSP135H6906XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

BSP

Gehäusegröße

PG-SOT223

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-MOSFET-Transistor von Infineon arbeitet im Erschöpfungsmodus. Seine maximale Verlustleistung beträgt 1,8 W. Dieser MOSFET-Transistor hat eine minimale Betriebstemperatur von -55 °C und eine maximale Betriebstemperatur von 150 °C.

Erschöpfungsmodus

dv- oder dt-Nennstrom

Erhältlich mit V GS(th)-Anzeige auf der Rolle

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