Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 55 V / 30 A PG-TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 260-5129P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD30N06S2L23ATMA3
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | PG-TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße PG-TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 55 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD30N06S2L23ATMA3
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Leistungstransistor, der für Hochstromschalt- und Leistungsmanagementfunktionen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich, der für industrielle thermische Umgebungen geeignet ist, und wird in einem kompakten TO-252-Gehäuse für die Montage auf Platinenebene angeboten. Das Gerät erfüllt die Normen für eingeschränkte Stoffe für elektronische Bauteile.
Merkmale und Vorteile:
• 23 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Hochstrombetrieb
• 30 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt anspruchsvolle Stromversorgungen
• Die Nennleistung von 55 V Drain-Source ermöglicht den Einsatz in Mittelspannungssystemen
• Das oberflächenmontierte TO-252-Gehäuse ermöglicht kompakte Leiterplatten-Layouts
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C sorgt für Funktionalität in extremen Umgebungen
• 30 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt anspruchsvolle Stromversorgungen
• Die Nennleistung von 55 V Drain-Source ermöglicht den Einsatz in Mittelspannungssystemen
• Das oberflächenmontierte TO-252-Gehäuse ermöglicht kompakte Leiterplatten-Layouts
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C sorgt für Funktionalität in extremen Umgebungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Gleichstromverteilung und Lastschaltung
• Ideal für Motor-Treiber-Stufen in Kompaktumrichtern
• Wird für wärmetolerante industrielle Steuerungselektronik verwendet
• Kann für das Energiemanagement in Telekommunikationsanlagen verwendet werden
• Geeignet für Hochstromschaltstufen in Stromversorgungen
• Ideal für Motor-Treiber-Stufen in Kompaktumrichtern
• Wird für wärmetolerante industrielle Steuerungselektronik verwendet
• Kann für das Energiemanagement in Telekommunikationsanlagen verwendet werden
• Geeignet für Hochstromschaltstufen in Stromversorgungen
Welche Befestigungsmethode ist erforderlich?
Sie ist für die Oberflächenmontage mit einer PG-TO-252-Grundfläche vorgesehen.
Welche Kanalpolarität verwendet er?
Er verwendet einen N-Kanal-Leitungsmodus für die Schaltsteuerung.
Ist sie für die Konformität mit eingeschränkten Stoffen zugelassen?
Er verfügt über eine RoHS-Zulassung für den Einsatz in Anwendungen, die die Einhaltung eingeschränkter Stoffe erfordern.
Wie hoch ist der maximale Dauerstrom, den er verarbeiten kann?
Er ist für einen kontinuierlichen Ablassstrom von 30 A ausgelegt.