Infineon IPN, Oberfläche MOSFET / 7.6 A, 3-Pin PG-SOT223

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5153
Herst. Teile-Nr.:
IPN50R800CEATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.6A

Gehäusegröße

PG-SOT223

Serie

IPN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.8Ω

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.52mm

Länge

6.3mm

Breite

3.3 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS CE ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurde und Pionier entwickelt wurde.

Sehr hohe Schaltflexibilität

Einfach zu bedienen oder zu fahren

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