Infineon IPN, Oberfläche MOSFET / 7.6 A, 3-Pin PG-SOT223
- RS Best.-Nr.:
- 260-5153
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN50R800CEATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 260-5153
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN50R800CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.6A | |
| Gehäusegröße | PG-SOT223 | |
| Serie | IPN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.8Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.52mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.6A | ||
Gehäusegröße PG-SOT223 | ||
Serie IPN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.8Ω | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.52mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon CoolMOS CE ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurde und Pionier entwickelt wurde.
Sehr hohe Schaltflexibilität
Einfach zu bedienen oder zu fahren
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