ROHM RS6G100BG N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 100 A 59 W, 8-Pin HSOP
- RS Best.-Nr.:
- 260-6156P
- Herst. Teile-Nr.:
- RS6G100BGTB1
- Marke:
- ROHM
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|---|---|
| 50 - 95 | 1,656 € |
| 100 - 245 | 1,342 € |
| 250 - 995 | 1,308 € |
| 1000 + | 1,274 € |
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- 260-6156P
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- RS6G100BGTB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | RS6G100BG | |
| Gehäusegröße | HSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.4mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 59W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie RS6G100BG | ||
Gehäusegröße HSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.4mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 59W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM hat einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine maximale Verlustleistung von 59 Watt. Es wird in einem leistungsstarken kleinen Gehäuse HSOP8 geliefert und wird für Schaltanwendungen verwendet.
Halogenfrei
RoHS-konform
Bleifreie Beschichtung