ROHM RS6G100BG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 100 A 59 W, 8-Pin HSOP

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Herst. Teile-Nr.:
RS6G100BGTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

HSOP

Serie

RS6G100BG

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.4mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Maximale Verlustleistung Pd

59W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM hat einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine maximale Verlustleistung von 59 Watt. Es wird in einem leistungsstarken kleinen Gehäuse HSOP8 geliefert und wird für Schaltanwendungen verwendet.

Halogenfrei

RoHS-konform

Bleifreie Beschichtung

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