STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 10 A, 7-Pin Band und Rolle

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Herst. Teile-Nr.:
SCT040HU65G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

Band und Rolle

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

3.5mm

Länge

18.58mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit dem fortschrittlichen und innovativen 3. SiC-MOSFET-Technologie der Generation. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich kombiniert mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101-qualifiziert

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste Diode mit eigenem Gehäuse

Quellen-Sensorstift für erhöhte Effizienz

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