STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A, 7-Pin Band und Rolle
- RS Best.-Nr.:
- 261-5043P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT055HU65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | Band und Rolle | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 14 mm | |
| Länge | 18.58mm | |
| Höhe | 3.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße Band und Rolle | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 14 mm | ||
Länge 18.58mm | ||
Höhe 3.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MA
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET in Kfz-Qualität, 650 V, typisch 58 mOhm, 30 A in einem HU3PAK-Gehäuse
Das Leistungs-MOSFET-Gerät aus Siliziumkarbid von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
AEC-Q101-qualifiziert
Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste Diode mit eigenem Gehäuse
Quellen-Sensorstift für erhöhte Effizienz