STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 125 A, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 261-5532P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL120N10F8
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 261-5532P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL120N10F8
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 125A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 125A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-Verbesserungsmodus, Standardstufe 100 V, max. 4,6 mOhm, 125 A STripFET F8-Leistungs-MOSFET in einem PowerFLAT 5x6-Gehäuse
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics nutzt die STripFET F8-Technologie mit einer verbesserten Trench-Gate-Struktur.;Es sorgt für einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bei gleichzeitiger Reduzierung der internen Kapazitäten und der Gate-Ladung für eine schnellere und effizientere Schaltung.