STMicroelectronics Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 95 V, 5-Pin LBB
- RS Best.-Nr.:
- 261-5584P
- Herst. Teile-Nr.:
- RF5L15120CB4
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RF5L15120CB4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 95V | |
| Gehäusegröße | LBB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 28.95mm | |
| Normen/Zulassungen | 2002/95/EC | |
| Höhe | 2.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 95V | ||
Gehäusegröße LBB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 28.95mm | ||
Normen/Zulassungen 2002/95/EC | ||
Höhe 2.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 120-W-LDMOS-FET von STMicroelectronics wurde für kommerzielle Breitbandkommunikation, Fernsehübertragung, Avionik und industrielle Anwendungen mit Frequenzen von HF bis 1,5 GHz entwickelt. Er kann in Klasse AB/B und Klasse C für alle typischen Modulationsformate verwendet werden.
Hoher Wirkungsgrad und lineare Verstärkung
Integrierter ESD-Schutz
Großer positiver und negativer Gate- oder Quellspannungsbereich
Ausgezeichnete thermische Stabilität, geringe HCI-Drift