ROHM RD3L03BBG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 50 A 50 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 261-9333P
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3L03BBGTL1
- Marke:
- ROHM
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | 1,894 € |
| 100 - 245 | 1,522 € |
| 250 - 995 | 1,496 € |
| 1000 + | 1,236 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 261-9333P
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3L03BBGTL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | RD3L03BBG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.3mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free Plating, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie RD3L03BBG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.3mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free Plating, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM RD3L03BBG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltungen. Die Lagertemperatur reicht von -55 °C bis +150 °C.
Die Anzahl der Anschlussklemmen beträgt 3
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei