onsemi NXH020U90MNF2PTG N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 900 V / 149 A 352 W, 20-Pin F2-VIENNA: Fall 180BZ

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RS Best.-Nr.:
261-9558
Herst. Teile-Nr.:
NXH020U90MNF2PTG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

149A

Drain-Source-Spannung Vds max.

900V

Serie

NXH020U90MNF2PTG

Gehäusegröße

F2-VIENNA: Fall 180BZ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

20

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

352W

Durchlassspannung Vf

6V

Gate-Source-spannung max Vgs

18V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

546.4nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Halide Free, Pb-Free, RoHS

Automobilstandard

Nein

Die MOSFETs von ON Semiconductor sind ein Leistungsmodul, das ein Wiener Gleichrichtermodul enthält, bestehend aus zwei 10-Milliohm-Schaltern mit M2-Technologie und mit einem 15-V- bis 18-V-Gate-Antrieb.

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