Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 190 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 262-5848
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB013N06NF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
8,18 €
(ohne MwSt.)
9,74 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 798 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,09 € | 8,18 € |
| 20 - 48 | 3,685 € | 7,37 € |
| 50 - 98 | 3,43 € | 6,86 € |
| 100 - 198 | 3,19 € | 6,38 € |
| 200 + | 2,99 € | 5,98 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 262-5848
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB013N06NF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 190A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.15mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.15mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungstransistor von Infineon ist für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert und zu 100 Prozent gegen Lawinen getestet.
Bleifreie Kabelbeschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Verwandte Links
- Infineon iPB Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung / 180 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung / 180 A IPB180N06S4H1ATMA2 TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 180 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 90 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 120 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 180 A IPB180N10S402ATMA1 TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 120 A IPB120N06S403ATMA2 TO-263