Infineon IPB015N06NF2SATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 195 A, 3-Pin PG-TO263-3
- RS Best.-Nr.:
- 262-5852
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB015N06NF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
800 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
2,39 €
(ohne MwSt.)
2,84 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,39 € | 4,78 € |
| 20 - 48 | 2,15 € | 4,30 € |
| 50 - 98 | 2,005 € | 4,01 € |
| 100 - 198 | 1,885 € | 3,77 € |
| 200 + | 1,745 € | 3,49 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 262-5852
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB015N06NF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der N-Kanal-Leistungstransistor von Infineon ist für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert und zu 100 Prozent gegen Lawinen getestet.
Bleifreie Kabelbeschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 195 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | PG-TO263-3 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Transistor-Werkstoff | SiC |
Verwandte Produkte
- Infineon IPB015N06NF2SATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 195 A,...
- Infineon IPB029N06NF2SATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 120 A,...
- Infineon IPB018N06NF2SATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 187 A,...
- Infineon IPB013N06NF2SATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 190 A,...
- Infineon IPB012N04NF2SATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 197 A,...
- Infineon IPB023N04NF2SATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 122 A,...
- Infineon IPB011N04NF2SATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 201 A,...
- Infineon IPB014N04NF2SATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 191 A,...