Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 195 A, 3-Pin IPB015N06NF2SATMA1 TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

5,39 €

(ohne MwSt.)

6,414 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 696 Einheit(en) mit Versand ab 31. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 182,695 €5,39 €
20 - 482,425 €4,85 €
50 - 982,26 €4,52 €
100 - 1982,125 €4,25 €
200 +1,965 €3,93 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-5852
Herst. Teile-Nr.:
IPB015N06NF2SATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

195A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.15mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungstransistor von Infineon ist für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert und zu 100 Prozent gegen Lawinen getestet.

Bleifreie Kabelbeschichtung

RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

Verwandte Links