Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 282 A, 7-Pin IPF012N06NF2SATMA1 TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 262-5877
- Herst. Teile-Nr.:
- IPF012N06NF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
7,03 €
(ohne MwSt.)
8,366 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 798 Einheit(en) mit Versand ab 31. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,515 € | 7,03 € |
| 20 - 48 | 3,16 € | 6,32 € |
| 50 - 98 | 2,95 € | 5,90 € |
| 100 - 198 | 2,785 € | 5,57 € |
| 200 + | 2,56 € | 5,12 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 262-5877
- Herst. Teile-Nr.:
- IPF012N06NF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 282A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IPF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.15mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 282A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IPF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.15mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungstransistor von Infineon ist für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert und zu 100 Prozent gegen Lawinen getestet.
Bleifreie Kabelbeschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Verwandte Links
- Infineon N-Kanal Dual 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 80 V / 282 A PG-TO263-7
- Infineon N-Kanal Dual 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon N-Kanal Dual 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon N-Kanal Dual 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon N-Kanal Dual 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon N-Kanal Dual 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A PG-TO263-7
