Renesas Electronics NP100P06PDG-E1-AY P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A
- RS Best.-Nr.:
- 264-1239P
- Herst. Teile-Nr.:
- NP100P06PDG-E1-AY
- Marke:
- Renesas Electronics
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- 264-1239P
- Herst. Teile-Nr.:
- NP100P06PDG-E1-AY
- Marke:
- Renesas Electronics
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
Renesas Electronics bietet eine Niederspannungsleistung mit P-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor, der für Hochstrom-Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er besteht aus einem maximalen Ablassstrom von 100 A.
Die maximale Ablassquellenspannung beträgt 60 V
Befestigungstyp: SMD-Montage
Befestigungstyp: SMD-Montage
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Montage-Typ | SMD |
- RS Best.-Nr.:
- 264-1239P
- Herst. Teile-Nr.:
- NP100P06PDG-E1-AY
- Marke:
- Renesas Electronics
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